Datasheet IRF6708S2TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 13 А, DIRECTFET LV — Даташит

Купить IRF6708S2TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 70 до 183 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 30V 13A
ЧипСити Россия	IRF6708S2TR1PBF Infineon	152 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6708S2TR1PBF Infineon	183 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6708S2TR1PBF	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	IRF6708S2TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 13 А, DIRECTFET LV

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96314C
IRF6708S2TRPbF IRF6708S2TR1PbF
RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (<0.7 mm) VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Dual Sided Cooling Compatible 30V max ±20V max 7.5m@10V 12m@4.5V l Ultra Low Package Inductance Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l Optimized for High Frequency Switching 6.6nC 2.2nC 0.8nC 14nC 4.0nC 1.8V l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Optimized for Control FET Application l Compatible with existing Surface Mount Techniques l 100% Rg tested
l
DirectFET Power MOSFET

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 36 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.0075 Ом
• Pulse Current Idm: 110 А
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В
• Количество выводов: 6
• Корпус транзистора: DirectFET
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Рассеиваемая мощность: 20 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)