Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet BSP250 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223 — Даташит

NXP BSP250

Наименование модели: BSP250

72 предложений от 32 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 1 А, 0.25 Ом, SOT-223, Surface Mount
Maybo
Весь мир
BSP250,135
Nexperia
36 ₽
Триема
Россия
BSP250
40 ₽
Элитан
Россия
BSP250
NXP
41 ₽
BSP250,115
Nexperia
от 42 ₽
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Jun 20
Philips Semiconductors

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -3 А
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.22 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Рассеиваемая мощность: 5 Вт
  • Корпус транзистора: SOT-223
  • Количество выводов: 4

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet BSP250 - NXP MOSFET, P CH, 30 V, 3 A, SOT223

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка