Datasheet BSP250 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP250
![]() 68 предложений от 31 поставщиков NEXPERIA - BSP250,115 - MOSFET Transistor, P Channel, -1 A, -30 V, 250 mohm, -10 V, -2.8 V RoHS Compliant: Yes... | |||
BSP250,135 Nexperia | от 36 ₽ | ||
BSP250,115 Nexperia | от 113 ₽ | ||
BSP250,115 Nexperia | от 41 ₽ | ||
BSP250 /T3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Jun 20
Philips Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.22 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 5 Вт
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
RoHS: есть