Datasheet BSP250 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223 — Даташит
Наименование модели: BSP250
![]() 72 предложений от 32 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 30 В, 1 А, 0.25 Ом, SOT-223, Surface Mount | |||
BSP250,135 Nexperia | 36 ₽ | ||
BSP250 | 40 ₽ | ||
BSP250 NXP | 41 ₽ | ||
BSP250,115 Nexperia | от 42 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223
Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Jun 20
Philips Semiconductors
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3 А
- Drain Source Voltage Vds: -30 В
- On Resistance Rds(on): 0.22 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Рассеиваемая мощность: 5 Вт
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
RoHS: есть