Datasheet BSP250 - NXP Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 3 А, SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BSP250 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
Product specification Supersedes data of November 1994 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Jun 20
Philips Semiconductors

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: -3 А
• Drain Source Voltage Vds: -30 В
• On Resistance Rds(on): 0.22 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
• Рассеиваемая мощность: 5 Вт
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4

RoHS: есть