Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SQ2337ES-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, W/D, 80 В, 2.2 А, SOT23 — Даташит

Vishay SQ2337ES-T1-GE3

Наименование модели: SQ2337ES-T1-GE3

17 предложений от 9 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -80В; -1,3А; 1Вт; SOT23
Элитан
Россия
SQ2337ES-T1_GE3
Vishay
43 ₽
AiPCBA
Весь мир
SQ2337ES-T1-GE3
Vishay
48 ₽
ChipWorker
Весь мир
SQ2337ES-T1_GE3
Vishay
51 ₽
Akcel
Весь мир
SQ2337ES-T1_GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, W/D, 80 В, 2.2 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SQ2337ES
Vishay Siliconix
Automotive P-Channel 80 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: -80 В
  • On Resistance Rds(on): 0.27 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Рассеиваемая мощность: 3 Вт
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQ2337EST1GE3, SQ2337ES T1 GE3

На английском языке: Datasheet SQ2337ES-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, W/D, 80 V, 2.2 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России