» Datasheets » Полевые транзисторы

Datasheet DMG1012UW - Diodes Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 20 В, 1 А, SOT323

Наименование модели: DMG1012UW

Подробное описание

Производитель: Diodes

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт ESD, 20 В, 1 А, SOT323

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
DMG1012UW
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Please click here to visit our online spice models database.
Features
· · · · · · · · · Low On-Resistance Low Gate Threshold Voltage Low Input Capacitance Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) ESD Protected Up To 2KV "Green" Device (Note 2) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 0.3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Рассеиваемая мощность: 290 мВт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-323
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet DMG1012UW - Diodes MOSFET, N CH, W ESD, 20 V, 1 A, SOT323

Рекомендуемые материалы по теме:

• Datasheet AD8137YCPZ-R2 - Analog Devices Даташит 10-12 бит ADC, DRIVER, 8137, LFCSP-8

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.