HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PMN23UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 6.3 А, SOT457 — Даташит

NXP PMN23UN

Наименование модели: PMN23UN

18 предложений от 15 поставщиков
МОП-транзистор TRENCH 30V G3-TAPE2 REVERSE
ChipWorker
Весь мир
PMN23UN135
NXP
23 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMN23UN135
NXP
24 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PMN23UN /T2
по запросу
LifeElectronics
Россия
PMN23UN /T2
NXP
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 6.3 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN23UN
µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 16 June 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.023 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMN23UN - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 6.3 A, SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России