Datasheet VS-GB75SA120UP - Vishay Даташит IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227 — Даташит
Наименование модели: VS-GB75SA120UP
Купить VS-GB75SA120UP на РадиоЛоцман.Цены — от 3 386 до 3 431 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков VISHAY VS-GB75SA120UP IGBT Array & Module Transistor, NPN, 131 A, 3.3 V, 658 W, 1.2 kV, SOT-227 | |||
| VS-GB75SA120UP Vishay | 3 386 ₽ | ||
| VS-GB75SA120UP Vishay | 3 431 ₽ | ||
| VS-GB75SA120UP Vishay | по запросу | ||
| VS-GB75SA120UP Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, 75 А, SOT-227
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
GB75SA120UP
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast IGBT), 75 A
FEATURES
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Collector Emitter Voltage Vces: 3.3 В
- DC Collector Current: 131 А
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-227
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 658 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VSGB75SA120UP, VS GB75SA120UP
