HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet NID9N05ACLT4G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N-CH, 52 В, 9 А, DPAK — Даташит

ON Semiconductor NID9N05ACLT4G

Наименование модели: NID9N05ACLT4G

18 предложений от 12 поставщиков
ON SEMICONDUCTOR - NID9N05ACLT4G - MOSFET, N-CH, 52V, 9A, DPAK
T-electron
Россия и страны СНГ
NID9N05ACLT4G
ON Semiconductor
51 ₽
Триема
Россия
NID9N05ACLT4G
ON Semiconductor
88 ₽
ЧипСити
Россия
NID9N05ACLT4G
ON Semiconductor
102 ₽
NID9N05ACLT4G
ON Semiconductor
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 52 В, 9 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NID9N05CL, NID9N05ACL Power MOSFET
9.0 A, 52 V, N-Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ESD Protection in a DPAK Package
http://onsemi.com Benefits
· High Energy Capability for Inductive Loads · Low Switching Noise Generation
Features

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On Resistance Rds(on): 0.09 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 12 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.75 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.74 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NID9N05ACLT4G - ON Semiconductor MOSFET, N-CH, 52 V, 9 A, DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России