Datasheet PSMN3R8-100BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN3R8-100BS
Купить PSMN3R8-100BS на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 691 ₽ 27 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 306Вт; D2PAK,SOT404 | |||
PSMN2R2-40BS PSMN2R7-30BL PSMN2R8-80BS PSMN2R8-40BS PSMN3R0-60BS PSMN3R3-80BS PSMN3R8-100BS PSMN4R3-30BL PSMN4R4-80BS | 65 ₽ | ||
PSMN3R8-100BS.118 Nexperia | 151 ₽ | ||
PSMN3R8-100BS NXP | 318 ₽ | ||
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia | от 397 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN3R8-100BS
N-channel 100 V 3.9 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
2 -- 29 February 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.00328 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 306 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN3R8100BS, PSMN3R8 100BS