Datasheet PSMN4R6-60BS - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN4R6-60BS
Купить PSMN4R6-60BS на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 322 ₽ 29 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 100 А, 0.00374 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
PSMN4R6-60BS,118 TE Connectivity | 41 ₽ | ||
PSMN4R6-60BS.118 Nexperia | 54 ₽ | ||
PSMN4R6-60BS,118 Nexperia | от 257 ₽ | ||
PSMN4R6-60BS,118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
D2
PA K
PSMN4R6-60BS
N-channel 60 V, 4.4 m standard level MOSFET in D2PAK
Rev.
1 -- 22 March 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 0.00374 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 211 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
PSMN4R660BS, PSMN4R6 60BS