Datasheet SIRA04DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAKSO-8 — Даташит

Купить SIRA04DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 133 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков Semiconcuctor; Mosfet; TrenchFET; N-Channel; 30V; 40A; 2.15mohm @ 10V; PowerPAK SO-8
Akcel Весь мир	SIRA04DP-T1-GE3 Vishay	от 21 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SIRA04DP-T1-GE3 Vishay	34 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SIRA04DP-T1-GE3 Vishay	98 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	SIRA04DP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, 30 В, 40 А, PPAKSO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiRA04DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 40 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.0018 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 8
• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 27.7 Вт
• RoHS: да

Варианты написания:

SIRA04DPT1GE3, SIRA04DP T1 GE3