HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STB28NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 21 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB28NM50N

Наименование модели: STB28NM50N

34 предложений от 18 поставщиков
Транзистор полевой N-канальный 500В 21А 150Вт
STB28NM50N
STMicroelectronics
40 ₽
AliExpress
Весь мир
STB24NM65N STB24NF10 STB25N80K5 STB25NM50N STB25NM60N STB26NM60N STB270N4F3 STB27NM60ND STB28NM50N STB28N60M2 STB28N65M2
54 ₽
ЭИК
Россия
STB28NM50N
STMicroelectronics
от 800 ₽
Akcel
Весь мир
STB28NM50N
STMicroelectronics
от 892 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 21 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB28NM50N, STF28NM50N STP28NM50N, STW28NM50N
N-channel 500 V, 0.135 21 A DІPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order codes STB28NM50N STF28NM50N STP28NM50N STW28NM50N
VDSS (@Tjmax)

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 21 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On Resistance Rds(on): 0.135 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB28NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 500 V, 21 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России