HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STB8N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 7 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB8N65M5

Наименование модели: STB8N65M5

34 предложений от 18 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,4А; 70Вт; D2PAK
STB8N65M5
STMicroelectronics
17 ₽
ICdarom.ru
Россия
STB8N65M5
STMicroelectronics
от 28 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STB8N65M5
STMicroelectronics
66 ₽
STB8N65M5
STMicroelectronics
от 534 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 7 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5 STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5
N-channel 650 V, 0.56 7 A MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, IІPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAK
Features
Type STB8N65M5 STD8N65M5 STF8N65M5 STI8N65M5 STP8N65M5 STU8N65M5
VDSS @ TJmax

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.56 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB8N65M5 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 650 V, 7 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России