Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet STD10NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, DPAK

STMicroelectronics STD10NM60N

Наименование модели: STD10NM60N

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD10NM60N, STF10NM60N STP10NM60N, STU10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order codes STD10NM60N STF10NM60N STP10NM60N STU10NM60N
VDSS @TJmax

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.53 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STD10NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 8 A, DPAK

Исполнение: DPAK. MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 600 В; Iс(25°C): 8 А; Rси(вкл): 0.55 Ом; @Uзатв(ном): 10 В;...
ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
AliExpress5 шт./лот 10NM60N STD10NM60N TO252 новый оригинальный1 руб.
T-electronSTMicroelectronicsSTD10NM60N33 руб.
ЭлитанSTMicroelectronicsSTD10NM60N46 руб.
ДессиSTMicroelectronicsMOSFET транзистор STD10NM60N111 руб.
ПМ ЭлектрониксSTMicroelectronicsSTD10NM60Nот 126 руб.
Все 37 предложений от 19 поставщиков »
Срезы ↓
Источник питания Актаком APS-1303
Источник питания Актаком APS-1303
2 LED дисплея, 0…30 В, 0…3 А
Цена: от 9 700 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия
Лазерный дальномер Leica Disto D1
Дальномер Leica Disto D1
Дальность измерения: 0.2 - 40 м
Цена: от 4 999 руб.
Доставка: Россия

Рейтинг@Mail.ru