Datasheet NTE274 - NTE Electronics Даташит Транзистор, NPN, 80 В, 8 А, TO-66 — Даташит

Купить NTE274 на РадиоЛоцман.Цены — от 203 до 15 400 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 80В; 4А; 50Вт; TO66
ЧипСити Россия	NTE274 NTE Electronics	489 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	NTE274 NTE Electronics	694 ₽	Купить
Эиком Россия	NTE274 NTE Electronics	717 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	NTE274 NTE Electronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Транзистор, NPN, 80 В, 8 А, TO-66

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE274 (NPN) & NTE275 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier, Switch
Description: The NTE274 (NPN) and NTE275 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO66 type case designed for general purpose amplifier, low­frequency switching and hammer driver applications.

Features: D High DC Current Gain: hFE = 3000 Typ @ IC = 2A D Low Collector­Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 2A D Collector­Emitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 80V Min D Monolithic Construction with Built­In Base­Emitter Shunt Resistors Absolute Maximum Ratings: Collector­Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector­Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Emitter­Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
• DC Collector Current: 8 А
• DC Current Gain: 100
• Количество выводов: 2
• Полярность транзистора: NPN
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C
• Рассеиваемая мощность: 50 Вт
• RoHS: да