Datasheet NTE274 - NTE Electronics Даташит Транзистор, NPN, 80 В, 8 А, TO-66 — Даташит
Наименование модели: NTE274
Купить NTE274 на РадиоЛоцман.Цены — от 568 до 65 835 ₽ 12 предложений от 8 поставщиков Транзистор: NPN; биполярный; Дарлингтон; 80В; 4А; 50Вт; TO66 | |||
NTE274 NTE Electronics | 568 ₽ | ||
NTE274 NTE Electronics | 604 ₽ | ||
NTE274 | по запросу | ||
NTE274 NTE Electronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Транзистор, NPN, 80 В, 8 А, TO-66
Краткое содержание документа:
NTE274 (NPN) & NTE275 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier, Switch
Description: The NTE274 (NPN) and NTE275 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO66 type case designed for general purpose amplifier, lowfrequency switching and hammer driver applications.
Features: D High DC Current Gain: hFE = 3000 Typ @ IC = 2A D Low CollectorEmitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 2V Max @ IC = 2A D CollectorEmitter Sustaining Voltage: VCEO(sus) = 80V Min D Monolithic Construction with BuiltIn BaseEmitter Shunt Resistors Absolute Maximum Ratings: CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V CollectorBase Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V EmitterBase Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- DC Collector Current: 8 А
- DC Current Gain: 100
- Количество выводов: 2
- Полярность транзистора: NPN
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- RoHS: да