Datasheet NGTG15N60S1EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3 — Даташит

Купить NGTG15N60S1EG на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 412 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков ON SEMICONDUCTOR - NGTG15N60S1EG - Transistor IGBT Singolo, 30 A, 1.75 V, 117 W, 600 V, TO-220, 3 Pin
Стандарт СИЗ Россия	NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	28 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	63 ₽	Купить
Софт Логистик Россия	NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	145 ₽	Купить
Akcel Весь мир	NGTG15N60S1EG ON Semiconductor	от 412 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 600 В, 15 А, TO-220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTG15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Non-Punch Through (NPT) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications.

Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for motor drive control and other hard switching applications.
Features
http://onsemi.com
· · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• DC Collector Current: 30 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 117 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)