Datasheet BSP321P L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 980 мА, SOT-223 — Даташит

Infineon BSP321P L6327

Наименование модели: BSP321P L6327

Купить BSP321P L6327 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 1 978 ₽ 13 предложений от 7 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 0.98A I(D), 100V, 0.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, 4-PIN
AiPCBA Весь мир	BSP321PL6327 Infineon	19 ₽
ChipWorker Весь мир	BSP321PL6327 Infineon	19 ₽
Utmel Весь мир	BSP321PL6327 Infineon	от 31 ₽
Элитан Россия	BSP321PL6327 Infineon	53 ₽

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 980 мА, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSP321P
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · Normal level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to AEC Q101
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 900 -0.98 V m A
PG-SOT-223

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -980 мА
Drain Source Voltage Vds: -100 В
On Resistance Rds(on): 0.689 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 4
Корпус транзистора: SOT-223
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
RoHS: да