Datasheet BSS119 L6327 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 170 мА, SOT-23 — Даташит

Infineon BSS119 L6327

Наименование модели: BSS119 L6327

Купить BSS119 L6327 на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
AiPCBA Весь мир	BSS119L6327 Infineon	8.29 ₽
ChipWorker Весь мир	BSS119L6327 Infineon	8.29 ₽
Utmel Весь мир	BSS119L6327HTSA1 Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	BSS119L6327HTSA1 Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 170 мА, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSS119N
OptiMOSTM Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Enhancement mode · Logic level (4.5V rated) · Avalanche rated · Qualified according to AEC Q101 · 100% lead-free; RoHS compliant; Halogen free
Product Summary VDS RDS(on),max VGS=10 V VGS=4.5 V ID 100 6 10 0.19 A V W
PG-SOT23

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 170 мА
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 3.4 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: SOT-23
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Рассеиваемая мощность: 360 мВт
RoHS: да