Datasheet BSZ076N06NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON — Даташит

Infineon BSZ076N06NS3 G

Наименование модели: BSZ076N06NS3 G

Купить BSZ076N06NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 3 538 ₽ 5 предложений от 5 поставщиков Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8Pin TSDSON EP
ЧипСити Россия	BSZ076N06NS3G Infineon	33 ₽
AiPCBA Весь мир	BSZ076N06NS3G Infineon	35 ₽
ChipWorker Весь мир	BSZ076N06NS3G Infineon	35 ₽
LifeElectronics Россия	BSZ076N06NS3G Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 20 А, 8TSDSON

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
BSZ076N06NS3 G
OptiMOSTM3 Power-Transistor
Features · Ideal for high frequency switching and sync.

rec. · Optimized technology for DC/DC converters · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · N-channel, normal level · 100% avalanche tested · Pb-free plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Halogen-free according to IEC61249-2-21 Type BSZ076N06NS3 G
Product Summary V DS R DS(on),max ID 60 7.6 20 V m A

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 20 А
Drain Source Voltage Vds: 60 В
On Resistance Rds(on): 0.006 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
Количество выводов: 8
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Рассеиваемая мощность: 69 Вт
RoHS: да