Datasheet BSZ440N10NS3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 18 А, 8TSDSON — Даташит

Infineon BSZ440N10NS3 G

Наименование модели: BSZ440N10NS3 G

Купить BSZ440N10NS3 G на РадиоЛоцман.Цены — от 2.00 до 2 451 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков OptiMOS?„?3 Power-Transistor
Триема Россия	BSZ440N10NS3G	2.00 ₽
ЧипСити Россия	BSZ440N10NS3G Infineon	103 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	BSZ440N10NS3G	2 451 ₽
Acme Chip Весь мир	BSZ440N10NS3G Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 18 А, 8TSDSON

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BSZ440N10NS3 G
"%&$!"#TM3 Power-Transistor
Features Q .

5B < G 71D 3 81B 6 B 78 65AE5>3 I 1@@<3 1D >C I? 5 75 ? 89 B 9 9 ? Q ( @D J54 6 B 43 3 ? >F C? > 9 =9 ? 43 5B9 Q ' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q H3 5<5>D 5 3 81B HR 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q. 5B < G ? >B 9D 5 R 9H"[Z# I? 5CC 1>3 Q T ? @5B 9 D 1D 5=@5B EB >7 1D 5 Q ) 2 655 < B 514 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D 1D >7 9 Q * E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
Product Summary V 9H R 9H"[Z#$YMd I9 )(( ,, )0 E=%IH9HDC%0 J Y" 6

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 18 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 0.038 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.7 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 8
Корпус транзистора: PG-TSDSON
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
Рассеиваемая мощность: 29 Вт
RoHS: да