Datasheet NTE2903 - NTE Electronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 5 А, TO-220FN-3 — Даташит

Купить NTE2903 на РадиоЛоцман.Цены — от 272 до 30 853 ₽ 7 предложений от 4 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 5А; Idm: 20А; 35Вт; TO220FN
ЧипСити Россия	NTE2903 NTE Electronics	272 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	NTE2903 NTE Electronics	289 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	NTE2903 NTE Electronics	от 615 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	NTE2903	30 853 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NTE Electronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 5 А, TO-220FN-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTE2903 MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
Features: D Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) = 1.35 Typ D High Forward Transfer Admittance: |yfs| = 3.5S Typ D Low Leakage Current: IDSS = 100A (VDS = 500V) D Enhancement Mode: Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA) Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified) Drain-Source Voltage, VDSS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Drain-Gate Voltage (RGS = 20k), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V Gate-Source Voltage, VGSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V Drain Current (Note 2), ID Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A Pulsed (t = 1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 1.35 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Количество выводов: 3
• Полярность транзистора: N Channel
• Рассеиваемая мощность: 35 Вт
• RoHS: да