Datasheet Texas Instruments TLE2021CPWLE — Даташит
| Производитель | Texas Instruments |
| Серия | TLE2021 |
| Модель | TLE2021CPWLE |
Прецизионный маломощный операционный усилитель с однополярным питанием 8-TSSOP 0–70
Datasheets
Excalibur High-Speed Low-Power Precision Operational Amplifiers. datasheet
PDF, 2.0 Мб, Версия: D, Файл опубликован: 24 ноя 2010
Выписка из документа
Цены
Операционные усилители HS Low Power | |||
| TLE2021CPWLE Texas Instruments | 262 ₽ | ||
| TLE2021CPWLE | по запросу | ||
| TLE2021CPWLE Texas Instruments | по запросу | ||
Статус
| Статус продукта | Снят с производства (Производитель прекратил производство прибора) |
| Доступность образцов у производителя | Нет |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Pin | 8 |
| Package Type | PW |
| Industry STD Term | TSSOP |
| JEDEC Code | R-PDSO-G |
| Width (мм) | 4.4 |
| Length (мм) | 3 |
| Thickness (мм) | 1 |
| Pitch (мм) | .65 |
| Max Height (мм) | 1.2 |
| Mechanical Data | Скачать |
Параметры
| Additional Features | Vos Adj Pin |
| Approx. Price (US$) | 0.45 | 1ku |
| Архитектура | Bipolar |
| CMRR(Min)(dB) | 85 |
| CMRR(Typ)(dB) | 110 |
| GBW(Typ)(MHz) | 1.7 |
| Input Bias Current(Max)(pA) | 70000 |
| Iq per channel(Max)(mA) | 0.3 |
| Iq per channel(Typ)(mA) | 0.2 |
| Number of Channels(#) | 1 |
| Offset Drift(Typ)(uV/C) | 2 |
| Operating Temperature Range(C) | -40 to 85 0 to 70 |
| Output Current(Typ)(mA) | 3 |
| Package Group | PDIP SOIC |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) | See datasheet (PDIP) |
| Rail-to-Rail | In to V- |
| Rating | Catalog |
| Slew Rate(Typ)(V/us) | 0.5 |
| Total Supply Voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10) | 40 |
| Total Supply Voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10) | 4 |
| Vn at 1kHz(Typ)(nV/rtHz) | 17 |
| Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)(mV) | 0.6 |
Экологический статус
| RoHS | Не совместим |
| Бессвинцовая технология (Pb Free) | Нет |
Application Notes
- DC Parameters: Input Offset VoltagePDF, 295 Кб, Файл опубликован: 27 мар 2001
The input offset voltage, VIO, is a common dc parameter in operational amplifier (op amp) specifications. This report aims to familiarize the engineer by discussing the basics and modern aspects of VIO by providing a definition and a detailed explaination of causes of VIO for BJT, BiFET, and CMOS devices. Discussion centers around measurement techniques, data sheet specifications, and the effect o - TLE202x EMI Immunity Performance (Rev. A)PDF, 90 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 5 ноя 2012
Модельный ряд
Серия: TLE2021 (13)
Классификация производителя
- Semiconductors > Amplifiers > Operational Amplifiers (Op Amps) > Precision Op Amps
