HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet Texas Instruments TLE2021 — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияTLE2021
Datasheet Texas Instruments TLE2021

Precision Low-Power Single Supply Operational Amplifier

Datasheets

Excalibur High-Speed Low-Power Precision Operational Amplifiers. datasheet
PDF, 2.0 Мб, Версия: D, Файл опубликован: 24 ноя 2010
Выписка из документа

Цены

36 предложений от 25 поставщиков
Операционный усилитель, 1 Усилитель, 1.2 МГц, 0.5 В/мкс, ± 2В до ± 20В, SOIC, 8 вывод(-ов)
AiPCBA
Весь мир
TLE2021CPW
Texas Instruments
24 ₽
ChipWorker
Весь мир
TLE2021CPW
Texas Instruments
25 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
TLE2021CDR
Texas Instruments
по запросу
Контест
Россия
TLE2021CP
Texas Instruments
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

TLE2021CDTLE2021CDG4TLE2021CDRTLE2021CDRG4TLE2021CPTLE2021CPE4TLE2021CPWLETLE2021IDTLE2021IDG4TLE2021IDRTLE2021IDRG4TLE2021IPTLE2021IPE4
Статус продуктаВ производствеВ производствеВ производствеВ производствеВ производствеВ производствеСнят с производстваВ производствеВ производствеВ производствеВ производствеВ производствеВ производстве
Доступность образцов у производителяДаДаДаНетДаДаНетНетДаНетНетНетНет

Корпус / Упаковка / Маркировка

TLE2021CDTLE2021CDG4TLE2021CDRTLE2021CDRG4TLE2021CPTLE2021CPE4TLE2021CPWLETLE2021IDTLE2021IDG4TLE2021IDRTLE2021IDRG4TLE2021IPTLE2021IPE4
N12345678910111213
Pin8888888888888
Package TypeDDDDPPPWDDDDPP
Industry STD TermSOICSOICSOICSOICPDIPPDIPTSSOPSOICSOICSOICSOICPDIPPDIP
JEDEC CodeR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDIP-TR-PDIP-TR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDIP-TR-PDIP-T
Package QTY75752500250050507575250025005050
CarrierTUBETUBELARGE T&RLARGE T&RTUBETUBETUBETUBELARGE T&RLARGE T&RTUBETUBE
Маркировка2021C2021C2021C2021CTLE2021CPTLE2021CP2021I2021I2021I2021ITLE2021IPTLE2021IP
Width (мм)3.913.913.913.916.356.354.43.913.913.913.916.356.35
Length (мм)4.94.94.94.99.819.8134.94.94.94.99.819.81
Thickness (мм)1.581.581.581.583.93.911.581.581.581.583.93.9
Pitch (мм)1.271.271.271.272.542.54.651.271.271.271.272.542.54
Max Height (мм)1.751.751.751.755.085.081.21.751.751.751.755.085.08
Mechanical DataСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачать

Параметры

Parameters / ModelsTLE2021CD
TLE2021CD
TLE2021CDG4
TLE2021CDG4
TLE2021CDR
TLE2021CDR
TLE2021CDRG4
TLE2021CDRG4
TLE2021CP
TLE2021CP
TLE2021CPE4
TLE2021CPE4
TLE2021CPWLE
TLE2021CPWLE
TLE2021ID
TLE2021ID
TLE2021IDG4
TLE2021IDG4
TLE2021IDR
TLE2021IDR
TLE2021IDRG4
TLE2021IDRG4
TLE2021IP
TLE2021IP
TLE2021IPE4
TLE2021IPE4
Additional FeaturesN/AN/AN/AN/AN/AN/AVos Adj PinN/AN/AN/AN/AN/AN/A
Approx. Price (US$)0.45 | 1ku
АрхитектураBipolarBipolarBipolarBipolarBipolarBipolarBipolarBipolarBipolarBipolarBipolarBipolarBipolar
CMRR(Min), дБ858585858585858585858585
CMRR(Min)(dB)85
CMRR(Typ), дБ110110110110110110110110110110110110
CMRR(Typ)(dB)110
GBW(Typ), МГц1.71.71.71.71.71.71.71.71.71.71.71.7
GBW(Typ)(MHz)1.7
Input Bias Current(Max), pA700007000070000700007000070000700007000070000700007000070000
Input Bias Current(Max)(pA)70000
Iq per channel(Max), мА0.30.30.30.30.30.30.30.30.30.30.30.3
Iq per channel(Max)(mA)0.3
Iq per channel(Typ), мА0.20.20.20.20.20.20.20.20.20.20.20.2
Iq per channel(Typ)(mA)0.2
Количество каналов111111111111
Number of Channels(#)1
Offset Drift(Typ), uV/C222222222222
Offset Drift(Typ)(uV/C)2
Рабочий диапазон температур, Cот -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70от -40 до 85,0 до 70
Operating Temperature Range(C)-40 to 85
0 to 70
Output Current(Typ), мА333333333333
Output Current(Typ)(mA)3
Package GroupSOICSOICSOICSOICPDIPPDIPPDIP
SOIC
SOICSOICSOICSOICPDIPPDIP
Package Size: mm2:W x L, PKG8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)See datasheet (PDIP)See datasheet (PDIP)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)See datasheet (PDIP)See datasheet (PDIP)
Package Size: mm2:W x L (PKG)See datasheet (PDIP)
Rail-to-RailIn to V-In to V-In to V-In to V-In to V-In to V-In to V-In to V-In to V-In to V-In to V-In to V-In to V-
RatingCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalog
Slew Rate(Typ), V/us0.50.50.50.50.50.50.50.50.50.50.50.5
Slew Rate(Typ)(V/us)0.5
Total Supply Voltage(Max), +5V=5, +/-5V=10404040404040404040404040
Total Supply Voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10)40
Total Supply Voltage(Min), +5V=5, +/-5V=10444444444444
Total Supply Voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10)4
Vn at 1kHz(Typ), нВ/rtГц171717171717171717171717
Vn at 1kHz(Typ)(nV/rtHz)17
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max), мВ0.60.60.60.60.60.60.60.60.60.60.60.6
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)(mV)0.6

Экологический статус

TLE2021CDTLE2021CDG4TLE2021CDRTLE2021CDRG4TLE2021CPTLE2021CPE4TLE2021CPWLETLE2021IDTLE2021IDG4TLE2021IDRTLE2021IDRG4TLE2021IPTLE2021IPE4
RoHSСовместимСовместимСовместимСовместимСовместимСовместимНе совместимСовместимСовместимСовместимСовместимСовместимСовместим
Бессвинцовая технология (Pb Free)ДаДаДаДаНет

Application Notes

  • DC Parameters: Input Offset Voltage
    PDF, 295 Кб, Файл опубликован: 27 мар 2001
    The input offset voltage, VIO, is a common dc parameter in operational amplifier (op amp) specifications. This report aims to familiarize the engineer by discussing the basics and modern aspects of VIO by providing a definition and a detailed explaination of causes of VIO for BJT, BiFET, and CMOS devices. Discussion centers around measurement techniques, data sheet specifications, and the effect o
  • TLE202x EMI Immunity Performance (Rev. A)
    PDF, 90 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 5 ноя 2012

Модельный ряд

Классификация производителя

  • Semiconductors> Amplifiers> Operational Amplifiers (Op Amps)> Precision Op Amps

На английском языке: Datasheet Texas Instruments TLE2021

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России