Datasheet Texas Instruments CSD19536KTT — Даташит
Производитель | Texas Instruments |
Серия | CSD19536KTT |
CSD19536KTT 100 V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET
Datasheets
CSD19536KTT 100-V N-Channel NexFETв„ў Power MOSFET datasheet
PDF, 915 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 16 авг 2016
Выписка из документа
Цены
Купить CSD19536KTT на РадиоЛоцман.Цены — от 164 до 1 119 ₽ 20 предложений от 9 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; Idm: 400А; 375Вт; D2PAK | |||
CSD19536KTT Texas Instruments | от 164 ₽ | ||
CSD19536KTT Texas Instruments | 217 ₽ | ||
CSD19536KTT Texas Instruments | 335 ₽ | ||
CSD19536KTT Texas Instruments | 452 ₽ |
Статус
CSD19536KTT | CSD19536KTTT | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве | В производстве |
Доступность образцов у производителя | Нет | Да |
Корпус / Упаковка / Маркировка
CSD19536KTT | CSD19536KTTT | |
---|---|---|
N | 1 | 2 |
Pin | 3 | 3 |
Package Type | KTT | KTT |
Industry STD Term | TO-263 | TO-263 |
JEDEC Code | R-PSFM-G | R-PSFM-G |
Package QTY | 500 | 50 |
Carrier | LARGE T&R | SMALL T&R |
Маркировка | CSD19536KTT | CSD19536KTT |
Width (мм) | 8.41 | 8.41 |
Length (мм) | 10.18 | 10.18 |
Thickness (мм) | 4.44 | 4.44 |
Pitch (мм) | 2.54 | 2.54 |
Max Height (мм) | 4.83 | 4.83 |
Mechanical Data | Скачать | Скачать |
Параметры
Parameters / Models | CSD19536KTT | CSD19536KTTT |
---|---|---|
Configuration | Single | Single |
ID, Silicon limited at Tc=25degC, A | 272 | 272 |
ID, package limited, A | 200 | 200 |
IDM, Max Pulsed Drain Current(Max), A | 400 | 400 |
Корпус, мм | D2PAK | D2PAK |
QG Typ, nC | 118 | 118 |
QGD Typ, nC | 17 | 17 |
Rds(on) Max at VGS=10V, mOhms | 2.4 | 2.4 |
VDS, В | 100 | 100 |
VGS, В | 20 | 20 |
VGSTH Typ, В | 2.5 | 2.5 |
Экологический статус
CSD19536KTT | CSD19536KTTT | |
---|---|---|
RoHS | Совместим | Совместим |
Бессвинцовая технология (Pb Free) | Да | Да |
Модельный ряд
Серия: CSD19536KTT (2)
Классификация производителя
- Semiconductors> Power Management> Power MOSFET> N-Channel MOSFET Transistor