Datasheet BSS138N - Infineon Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 230 мА, 60 В, SOT23 — Даташит
Наименование модели: BSS138N
![]() 38 предложений от 24 поставщиков Транзистор полевой BSS138N N-CH 50V 0,2A SOT-23 | |||
BSS138N-E6327 Infineon | 29 ₽ | ||
BSS138N E7854 | по запросу | ||
BSS138N L6433 Infineon | по запросу | ||
BSS138N E6433 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 230 мА, 60 В, SOT23
Краткое содержание документа:
BSS138N
SIPMOS® Small-Signal-Transistor
Features · N-channel · Enhancement mode · Logic level · dv /dt rated · Pb-free lead-plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max ID 60 3.5 0.23 V A
PG-SOT-23
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 230 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 230 мА
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 360 мВт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 360 мВт
- Pulse Current Idm: 920 мА
- Rate of Voltage Change dv / dt: 6kV/µs
- SMD Marking: SKs
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 1.4 В
- Voltage Vgs th Min: 0.6 В
RoHS: есть