Datasheet IRFL014NPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 55 В, 1.9 А, SOT-223 — Даташит

Купить IRFL014NPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 8.65 до 107 ₽ 19 предложений от 13 поставщиков IRFL014N PBF MOSFET, N, 55V, 1.9A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:2.7A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage,...
Стандарт СИЗ Россия	IRFL014NPBF Infineon	8.65 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRFL014NPBF International Rectifier	15 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRFL014NPBF Infineon	56 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRFL014NPBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 55 В, 1.9 А, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD- 92003A
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
IRFL014N
VDSS = 55V RDS(on) = 0.16

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 160 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 48mJ
• Capacitance Ciss Typ: 190 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 64nC
• Current Iar: 1.7 А
• Current Id Max: 1.9 А
• Current Idss Max: 1 мкА
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 7.3 мм
• Внешняя длина / высота: 1.7 мм
• Внешняя ширина: 6.7 мм
• Fall Time tf: 3.3 нс
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Gfs Min: 1.6A/V
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 120°C/W
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 160 МОм
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2.1 Вт
• Power Dissipation on 1 Sq.

  PCB: 1 Вт

• Pulse Current Idm: 15 А
• Rate of Voltage Change dv / dt: 5V/ns

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901