Datasheet IRLML6402TRPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, MICRO3 — Даташит
Наименование модели: IRLML6402TRPBF
![]() 67 предложений от 30 поставщиков Транзисторы полевые.Тип: MOSFETТип проводимости: PВес брутто: 0.06Транспортная упаковка: размер/кол-во: 64*40*52/9000Способ монтажа: поверхностный (SMT)Корпус: SOT-23 | |||
IRLML6402TRPBF Infineon | от 14 ₽ | ||
IRLML6402TRPBF International Rectifier | по запросу | ||
IRLML6402TRPBF-IR International Rectifier | по запросу | ||
IRLML6402TRPBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P, MICRO3
Краткое содержание документа:
PD - 93755C
IRLML6402
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET SOT-23 Footprint Low Profile (<1.1mm) Available in Tape and Reel Fast Switching
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: -3.7 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 65 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Voltage Vgs Max: -550 мВ
- Корпус транзистора: MicroSOIC
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: -3.7 А
- Тип корпуса: Micro3
- Power Dissipation Pd: 1.3 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: -550 мВ
- Voltage Vds Typ: -20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Electrolube - SMA10SL
- Roth Elektronik - RE901
- STANNOL - 631954