Datasheet IRF7832PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7832PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 167 ₽ 24 предложений от 17 поставщиков N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=20A@T=25C, Id=16A@T=70C)
Триема Россия	IRF7832PBF Infineon	57 ₽	Купить
727GS Весь мир	IRF7832PBF Infineon	от 119 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7832PBF Infineon	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IRF7832PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95016A
IRF7832PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.

Gate Rating l 100% tested for Rg
VDSS

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 2.32 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 20 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Format: 1 с
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 160 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: IRF7832PBF
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.32 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01