Клеммные колодки Keen Side

Datasheet IRF630NPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, 9.5 А, TO-220 — Даташит

International Rectifier IRF630NPBF

Наименование модели: IRF630NPBF

60 предложений от 24 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 9.3 А, 0.3 Ом, TO-220AB, Through Hole
ИМЭК
Россия и страны ТС
IRF630NPBF TO-220
International Rectifier
38 ₽
ЧипСити
Россия
IRF630NPBF
Infineon
43 ₽
IRF630NPBF
Infineon
от 95 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRF630NPBF
International Rectifier
по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, 9.5 А, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94005B
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements Description
l l Fifth Generation HEXFET ® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 300 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 9.3 А
  • Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.83°C/W
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Power Dissipation Pd: 82 Вт
  • Pulse Current Idm: 37 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 200 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IRF630NPBF - International Rectifier MOSFET, N, 200 V, 9.5 A, TO-220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка