Datasheet IRF7821PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7821PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 367 ₽ 19 предложений от 14 поставщиков МОП-транзистор 30V N-CH HEXFET 9.1mOhms 9.3nC
ChipWorker Весь мир	IRF7821PBF Infineon	19 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRF7821PBF Infineon	46 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7821PBF Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF7821PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95213A
IRF7821PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems.

l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current VDSS 30V RDS(on) max 9.1mW@VGS= 10V Qg(typ.) 9.3nC
S S S G

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 13.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 9.1 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 13.6 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 100 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: IRF7821PBF
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01