Datasheet IRF7413ZPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит

Купить IRF7413ZPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 94 ₽ 18 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
Триема Россия	IRF7413ZPBF SP001551348 IRF Infineon	18 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF7413ZPBF Infineon	от 26 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7413ZPBF	по запросу	Купить
МосЧип Россия	IRF7413ZPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95335D
IRF7413ZPbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Control FET for Notebook Processor Power l Control and Synchronous Rectifier MOSFET for Graphics Cards and POL Converters in Computing, Networking and Telecommunication Systems Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 100% Tested for RG l Lead-Free
VDSS

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 13 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 10 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.8 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 13 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 100 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: IRF7413ZPBF
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01