Datasheet IRF7410PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, SO-8 — Даташит

Купить IRF7410PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 39 до 101 ₽ 17 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 7 Milliohms; ID -16A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-8V
Триема Россия	IRF7410PBF MOSFET P-CH Si 20V 16A	59 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRF7410PBF International Rectifier	76 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	IRF7410PBF International Rectifier	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF7410PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96028B
IRF7410PbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l
Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Lead-Free

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: P Channel
• Continuous Drain Current Id: 16 А
• Drain Source Voltage Vds: 12 В
• On Resistance Rds(on): 7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Voltage Vgs Max: -900 мВ
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: -16 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: b
• Pin Format: 1 с
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 65 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: F7410
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: -900 мВ
• Voltage Vds Typ: -12 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5