Datasheet IRF7809AVPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить IRF7809AVPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 33 до 93 ₽ 12 предложений от 11 поставщиков Транзисторы импортные
ChipWorker Весь мир	IRF7809AVPBF Infineon	53 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRF7809AVPBF Infineon	66 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRF7809AVPBF ON Semiconductor	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF7809AVPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95212A
IRF7809AVPbF
· · · · · N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications · 100% Tested for Rg · Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge.

The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRF7809AV has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRF7809AV offers particulary low RDS(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications. The package is designed for vapor phase, infra-red, convection, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB mount application.
A A D D D

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 14.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 8.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 13.3 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: b
• Pin Format: 1 с
• Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
• Pulse Current Idm: 100 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: F7809
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01