Datasheet IRF7809AVPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7809AVPBF
Купить IRF7809AVPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 115 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков транзисторы полевые импортные | |||
| IRF7809AVPBF,Nкан 30В 13.3А SO8 Infineon | 20 ₽ | ||
| IRF7809AVPBF Infineon | 37 ₽ | ||
| IRF7495PBF IRF7809AVPBF SP001577464 IRF Infineon | 42 ₽ | ||
| IRF7809AVPBF | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 95212A
IRF7809AVPbF
· · · · · N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications · 100% Tested for Rg · Lead-Free Description This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resistance and gate charge.
The reduced conduction and switching losses make it ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of microprocessors. The IRF7809AV has been optimized for all parameters that are critical in synchronous buck converters including RDS(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn-on immunity. The IRF7809AV offers particulary low RDS(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications. The package is designed for vapor phase, infra-red, convection, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 2W is possible in a typical PCB mount application.
A A D D D
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 14.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 8.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 13.3 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Configuration: b
- Pin Format: 1 с
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 100 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: F7809
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01
