Datasheet IRF6609TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MT — Даташит

Купить IRF6609TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 42 до 268 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 20V 31A
AiPCBA Весь мир	IRF6609TR1PBF Infineon	165 ₽	Купить
Контест Россия	IRF6609TR1	268 ₽	Купить
Augswan Весь мир	IRF6609TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6609TR1	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MT

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
HEXFET® Power MOSFET
Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Ideal Synchronous Rectifier MOSFET l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
IRF6609
Qg

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 150 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 2 МОм
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 6290 пФ
• Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 26nC
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 6.35 мм
• Внешняя длина / высота: 0.7 мм
• Внешняя ширина: 5.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• IC Package (Case style): MT
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance Max: 2 МОм
• Тип корпуса: MT
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 250 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 32 нс
• SMD Marking: 6609
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2.45 В
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.45 В
• Voltage Vgs th Min: 1.55 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - IRF6609TR1PBF
• LICEFA - V11-7