Datasheet IRF6612TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX — Даташит
Наименование модели: IRF6612TR1
Купить IRF6612TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 4 867 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH Si 30V 136A 7Pin Direct-FET MX T/R | |||
IRF6612TR1PBF Infineon | от 27 ₽ | ||
IRF6612TR1PBF Infineon | от 27 ₽ | ||
IRF6612TR1 International Rectifier | 141 ₽ | ||
IRF6612TR1PBF,Nкан 30В 24А/136А DirectFET MX International Rectifier | 4 867 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MX
Краткое содержание документа:
PD - 95842E
IRF6612/IRF6612TR1
RoHS compliant containing no lead or bromide Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with Existing Surface Mount Techniques
l l
DirectFETTM Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 24 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
- Корпус транзистора: MX
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 3970 пФ
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Тип корпуса: MX
- Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
- Pulse Current Idm: 190 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 19 нс
- SMD Marking: 6612
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.25 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7