Datasheet IRF6617TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST — Даташит

International Rectifier IRF6617TR1

Наименование модели: IRF6617TR1

Купить IRF6617TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 81 до 492 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, ISOMETRIC-3
ЧипСити Россия	IRF6617TR1 Infineon	81 ₽
AiPCBA Весь мир	IRF6617TR1 Infineon	86 ₽
ChipWorker Весь мир	IRF6617TR1 Infineon	86 ₽
Acme Chip Весь мир	IRF6617TR1	по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD -95847B
IRF6617
l l l l l l l
Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with Existing Surface Mount Techniques
DirectFET Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 14 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 8.1 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
Корпус транзистора: ST
Количество выводов: 7
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Capacitance Ciss Typ: 1300 пФ
Current Id Max: 14 А
Температура перехода максимальная: 150°C
Температура перехода минимальная: -40°C
Тип корпуса: ST
Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
Pulse Current Idm: 120 А
Reverse Recovery Time trr Typ: 16 нс
SMD Marking: 6617
Способ монтажа: SMD
Threshold Voltage Vgs Typ: 2.35 В
Voltage Vds: 30 В
Voltage Vds Typ: 30 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

LICEFA - V11-7-6-10
LICEFA - V11-7