Datasheet IRF6617TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST — Даташит
Наименование модели: IRF6617TR1
Купить IRF6617TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 80 до 487 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, ISOMETRIC-3 | |||
IRF6617TR1 Infineon | 80 ₽ | ||
IRF6617TR1 Infineon | 85 ₽ | ||
IRF6617TR1 Infineon | 85 ₽ | ||
IRF6617TR1 International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, ST
Краткое содержание документа:
PD -95847B
IRF6617
l l l l l l l
Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching Losses Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with Existing Surface Mount Techniques
DirectFET Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 14 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 8.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: ST
- Количество выводов: 7
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 1300 пФ
- Current Id Max: 14 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Тип корпуса: ST
- Power Dissipation Pd: 2.1 Вт
- Pulse Current Idm: 120 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 16 нс
- SMD Marking: 6617
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.35 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7-6-10
- LICEFA - V11-7