Datasheet IRF6618TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MT — Даташит
Наименование модели: IRF6618TR1
 Купить IRF6618TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 57 до 305 ₽16 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH Si 30V 170A 7Pin Direct-FET MT T/R | |||
| IRF6618TR1PBF Infineon | 57 ₽ | ||
| IRF6618TR1 International Rectifier | 73 ₽ | ||
| IRF6618TR1 | по запросу | ||
| IRF6618TR1 Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MT
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
IRF6618/IRF6618TR1
RoHS compliant containing no lead or bromide Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters l Low Conduction Losses l Low Switching Losses l Low Profile (<0.7 mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l l
PD - 94726H
HEXFET® Power MOSFET
Данные для моделированияСпецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 170 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 2.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: DirectFET MT
- Количество выводов: 7
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Capacitance Ciss Typ: 5640 пФ
- Charge Qrr @ Tj = 25В°C Typ: 46nC
- Current Id Max: 30 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 6.35 мм
- Внешняя длина / высота: 0.7 мм
- Внешняя ширина: 5.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- IC Package (Case style): MT
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance Max: 2.2 МОм
- Тип корпуса: MT
- Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
- Pulse Current Idm: 240 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 43 нс
- SMD Marking: 6618
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.64 В
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.35 В
RoHS: есть
