Datasheet IRF1010ESPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 60 В, 84 А, D2-PAK — Даташит

Купить IRF1010ESPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 69 до 225 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3Pin(2+Tab) D2PAK
ЧипСити Россия	IRF1010ESPBF International Rectifier	89 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF1010ESPBF International Rectifier	95 ₽	Купить
ИМЭК Россия и страны ТС	IRF1010ESPBF MOSFET N-Ch 60V 84A Infineon	162 ₽	Купить
Триема Россия	IRF1010ESPBF MOSFET N-Ch 60V 84A	168 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 60 В, 84 А, D2-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 91720
IRF1010ES IRF1010EL
l l l l l l
Advanced Process Technology Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL) 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated
G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 84 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 12 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: D2-PAK
• Current Id Max: 84 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.9°C/W
• On State resistance @ Vgs = 10V: 12 МОм
• Тип корпуса: D2-PAK
• Power Dissipation Pd: 170 Вт
• Pulse Current Idm: 330 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 60 В
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
• Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5