Datasheet IRFBA90N20DPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, 200 В, 98 А, SUPER 220 — Даташит

Купить IRFBA90N20DPBF на РадиоЛоцман.Цены — от 51 до 738 ₽ 18 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Single N-Channel 200V 650W 160NC Hexfet Power Mosfet Through Hole - SBM-2
727GS Весь мир	IRFBA90N20DPBF Infineon	от 51 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRFBA90N20DPBF Infineon	477 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRFBA90N20DPBF NXP	по запросу	Купить
МосЧип Россия	IRFBA90N20DPBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, 200 В, 98 А, SUPER 220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94300C
SMPS MOSFET
IRFBA90N20D
RDS(on) max
0.023W

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 98 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 23 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 5 В
• Корпус транзистора: Super-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 98 А
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 0.23°C/W
• On State resistance @ Vgs = 10V: 23 Ом
• Тип корпуса: Super-220
• Power Dissipation Pd: 650 Вт
• Pulse Current Idm: 390 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 5 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A