Datasheet IRFU5305PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, -55 В, -28 А, I-PAK — Даташит
Наименование модели: IRFU5305PBF
![]() 55 предложений от 23 поставщиков Силовой МОП-транзистор, P Канал, 55 В, 22 А, 0.065 Ом, TO-251AA, Through Hole | |||
IRFU5305PBF Infineon | от 13 ₽ | ||
IRFU5305PBF Infineon | от 92 ₽ | ||
IRFU5305PBF Infineon | 254 ₽ | ||
IRFU5305PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, P, -55 В, -28 А, I-PAK
Краткое содержание документа:
PD - 91402A
IRFR/U5305
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l l
Ultra Low On-Resistance Surface Mount (IRFR5305) Straight Lead (IRFU5305) Advanced Process Technology Fast Switching Fully Avalanche Rated
Спецификации:
- Полярность транзистора: P Channel
- Continuous Drain Current Id: 22 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On Resistance Rds(on): 65 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
- Voltage Vgs Max: -4 В
- Корпус транзистора: I-PAK
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: I-PAK
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 280mJ
- Capacitance Ciss Typ: 1200 пФ
- Current Iar: 16 А
- Current Id Max: -31 А
- Current Temperature: 25°C
- Fall Time tf: 63 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 175°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.8°C/W
- Lead Length: 9.65 мм
- Расстояние между выводами: 2.28 мм
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 65 МОм
- Тип корпуса: IPAK
- Power Dissipation Pd: 69 Вт
- Pulse Current Idm: 110 А
- Repetitive Avalanche Energy Max: 6.9mJ
- Rise Time: 66 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: -4 В
- Время выключения: 39 нс
- Время включения: 14 нс
- Voltage Vds Typ: -55 В
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Panasonic - EYGA121807A
- Roth Elektronik - RE901