Datasheet IRF7307PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7307PBF
![]() 14 предложений от 13 поставщиков N-канальный и P-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A/4.3A, Rds=0.05/0.09 R, P=2.0W, -55 to +150C), smd. | |||
IRF7307PBF International Rectifier | 76 ₽ | ||
IRF7307PBF | по запросу | ||
IRF7307PBF Infineon | по запросу | ||
IRF7307PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD - 95179
IRF7307PbF
Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance l Dual N and P Channel Mosfet l Surface Mount l Available in Tape & Reel l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching l Lead-Free Description
l
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 50 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Cont Current Id N Channel 2: 5.2 А
- Cont Current Id P Channel: 4.3 А
- Current Id Max: 5.7 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 2
- On State Resistance N Channel Max: 50 МОм
- On State Resistance P Channel Max: 90 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 17 А
- Pulse Current Idm N Channel 2: 21 А
- Pulse Current Idm P Channel: 17 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: F7307
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01