Datasheet IRF7350PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8 — Даташит

Купить IRF7350PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 38 до 42 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, SOIC N+P 100V 2.1A/1.5A
Maybo Весь мир	IRF7350PBF Infineon	42 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF7350PBF	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IRF7350PBF Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF7350PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NP, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95367
IRF7350PbF
HEXFET® Power MOSFET
l l l l l
Ultra Low On-Resistance Dual N and P Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape and Reel Lead-Free

Спецификации:

• Полярность транзистора: N and P Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.1 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 210 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Cont Current Id N Channel 2: 2.1 А
• Cont Current Id P Channel: 1.5 А
• Current Id Max: 2.1 А
• Количество транзисторов: 2
• On State Resistance @ Vgs = 10V N Channel: 210 МОм
• On State Resistance @ Vgs = 10V P Channel: 480 МОм
• Тип корпуса: SOIC
• Pin Configuration: 1S1, 2G1, 3S2, 4G2, (5&6)D2, (8&7)D1
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 8.4 А
• Pulse Current Idm P Channel: 6 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01