Datasheet IRG4PH50KDPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 1200 В, 45 А, TO-247AC — Даташит
Наименование модели: IRG4PH50KDPBF
![]() 19 предложений от 15 поставщиков Транзистор IGBT, INTERNATIONAL RECTIFIER IRG4PH50KDPBF IGBT Single Transistor, 45A, 2.77V, 200W, 1.2kV, TO-247AC, 3Pins | |||
IRG4PH50KDPBF Infineon | от 212 ₽ | ||
IRG4PH50KDPBF Infineon | 453 ₽ | ||
IRG4PH50KDPBF Infineon | 925 ₽ | ||
IRG4PH50KDPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 1200 В, 45 А, TO-247AC
Краткое содержание документа:
PD- 95189
IRG4PH50KDPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
· High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V · Combines low conduction losses with high switching speed · Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations · IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes · Lead-Free
Features
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 45 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.77 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
- Корпус транзистора: TO-247AC
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 45 А
- Current Temperature: 25°C
- Device Marking: IRG4PH50KDPBF
- Fall Time Max: 300 нс
- Fall Time tf: 300 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Package / Case: TO-247AC
- Power Dissipation: 200 Вт
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- Pulsed Current Icm: 90 А
- Rise Time: 100 нс
- Short Circuit Withstand Time Min: 10Вµs
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5