Datasheet IRG4PH50SPBF - International Rectifier Даташит IGBT, 1200 В, 57 А, TO-247AC — Даташит
Наименование модели: IRG4PH50SPBF
![]() 16 предложений от 14 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 57A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC Tube | |||
IRG4PH50SPBF Infineon | 191 ₽ | ||
IRG4PH50SPBF Infineon | 201 ₽ | ||
IRG4PH50SPBF Infineon | по запросу | ||
IRG4PH50SPBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: IGBT, 1200 В, 57 А, TO-247AC
Краткое содержание документа:
PD -95525A
IRG4PH50SPbF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Features
Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( < 1kHz) Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 Industry standard TO-247AC package Lead-Free
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 57 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 1.47 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
- Корпус транзистора: TO-247AC
- Количество выводов: 3
- Current Ic Continuous a Max: 57 А
- Current Temperature: 25°C
- Device Marking: IRG4PH50S
- Fall Time Max: 638 нс
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Package / Case: TO-247AC
- Power Dissipation: 200 Вт
- Power Dissipation Pd: 200 Вт
- Pulsed Current Icm: 114 А
- Rise Time: 29 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 1200 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5