Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 — Даташит
Производитель | Central Semiconductor |
Серия | CDM22010-650 |
10A, 650V сквозной MOSFET N-Channel Enhancement Mode High Current
Datasheets
Datasheet CDM22010-650
PDF, 887 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 10 апр 2022, Страниц: 4
SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
Выписка из документа
Spice Models
Spice Model CDM22010-650
LIB, 1 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 18 авг 2014
Выписка из документа
Цены
Купить CDM22010-650 на РадиоЛоцман.Цены — от 176 до 11 289 ₽ 7 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-Ch 10A PFC FET 650V 8.0nC 0.88Ohm | |||
CDM22010-650 SL Central Semiconductor | 176 ₽ | ||
CDM22010-650 SL | от 284 ₽ | ||
CDM22010-650 SL PBFREE Central Semiconductor | по запросу | ||
CDM22010-650 | по запросу |
Статус
CDM22010-650 | CDM22010-650 SL | |
---|---|---|
Статус продукта | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) | В производстве (Рекомендуется для новых разработок) |
Параметры
Parameters / Models | CDM22010-650 | CDM22010-650 SL |
---|---|---|
@ID | 5A | 5A |
@VGS | 10V | 10V |
Description | N-Channel Enhancement Mode High Current | N-Channel Enhancement Mode High Current |
ECCN Code | EAR99 | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.0080 | 8541.29.0080 |
ID max | 10A | 10A |
Marking Code | CEN N CDM10 -650 D/C | CEN N CDM10 -650 D/C |
Способ монтажа | Through-Hole | Through-Hole |
PD max | 2W | 2W |
Корпус | TO-220 | TO-220 |
Polarity | N-CH | N-CH |
Qg typ | 20nc | 20nc |
VDS max | 650V | 650V |
VGS max | 30V | 30V |
rDS(ON) max | 1Ω | 1Ω |
Модельный ряд
Серия: CDM22010-650 (2)
Классификация производителя
- MOSFETs & JFETs > MOSFETs