HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet Microchip DN3535N8-G — Даташит

ПроизводительMicrochip
СерияDN3535
МодельDN3535N8-G

350 В, 10 Ом, N-канал, режим истощения, вертикальный DMOS FET

Datasheets

Datasheet DN3535
PDF, 395 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 5
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs Features
Выписка из документа

Цены

22 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 350В; 0,2А; 1,6Вт; SOT89-3
T-electron
Россия и страны СНГ
DN3535N8-G
Microchip
56 ₽
AiPCBA
Весь мир
DN3535N8-G
Supertex
79 ₽
DN3535N8-G
от 194 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
DN3535N8-G
Microchip
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

Статус продуктаВ производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы)

Корпус / Упаковка / Маркировка

КорпусSOT-89

Параметры

Automotive RecommendedNo
BVdsx min350 В
Lead Count3
Package Width-
RDS10 Ω
Vgs(off) max-3.5 В
Vgs(off) min-1.5 В

Модельный ряд

Серия: DN3535 (1)
  • DN3535N8-G

Классификация производителя

  • High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel

Варианты написания:

DN3535N8G, DN3535N8 G

На английском языке: Datasheet Microchip DN3535N8-G

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России