Datasheet Microchip DN3765K4-G — Даташит
| Производитель | Microchip |
| Серия | DN3765 |
| Модель | DN3765K4-G |
650 В, 8 Ом, N-канальный, режим истощения, вертикальный DMOS FET
Datasheets
Datasheet DN3765
PDF, 556 Кб, Язык: анг., Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 3
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features
Выписка из документа
Цены
 Купить DN3765K4-G на РадиоЛоцман.Цены — от 198 до 665 ₽21 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 300 мА, 8 Ом, TO-252AA, Surface Mount | |||
| DN3765K4-G Microchip | 198 ₽ | ||
| DN3765K4-G Microchip | 201 ₽ | ||
| DN3765K4-G Microchip | от 472 ₽ | ||
| DN3765K4-G Microchip | 491 ₽ | ||
Статус
| Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
| Корпус | DPAK |
Параметры
| Automotive Recommended | No |
| BVdsx min | 650 В |
| Lead Count | 3 |
| Package Width | - |
| RDS | 8 Ω |
| Vgs(off) max | -3.5 В |
| Vgs(off) min | -1.5 В |
Модельный ряд
Серия: DN3765 (1)
- DN3765K4-G
Классификация производителя
- High-Voltage Interface > MOSFETs - Interface > Depletion-Mode N-Channel
Варианты написания:
DN3765K4G, DN3765K4 G
