Datasheet Microchip 2N7000-G — Даташит
Производитель | Microchip |
Серия | 2N7000 |
Модель | 2N7000-G |
2N7000 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process
Datasheets
Datasheet 2N7000
PDF, 645 Кб, Версия: 09-10-2008, Файл закачен: 15 ноя 2017, Страниц: 5
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
Выписка из документа
Цены
Купить 2N7000-G на РадиоЛоцман.Цены — от 4.30 до 92 ₽ 37 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 200 мА, 5 Ом, TO-92, Through Hole | |||
2N7000 (2N7000G,VN2222) | от 4.30 ₽ | ||
2N7000G ON Semiconductor | 13 ₽ | ||
2N7000 (2N7000G,VN2222) | 25 ₽ | ||
2N7000G ON Semiconductor | 58 ₽ |
Статус
Статус продукта | В производстве (Подходит для новых разработок, но могут существовать и более новые альтернативы) |
Корпус / Упаковка / Маркировка
Корпус | TO-92 |
Количество выводов | 3 |
Параметры
BVdss min | 60 В |
CISSmax | 60 пФ |
Рабочий диапазон температур | от -55 до +150 °C |
Rds | 5.0 on) max |
Vgs(th) max | 3.0 В |
Экологический статус
RoHS | Совместим |
Модельный ряд
Серия: 2N7000 (1)
- 2N7000-G
Варианты написания:
2N7000G, 2N7000 G