Datasheet Motorola MTD1N60E — Даташит
| Производитель | Motorola |
| Серия | MTD1N60E |
| Модель | MTD1N60E |
Кремниевый затвор N-канального режима расширения, устаревший – без запасной части
Datasheets
TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount. N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
Цены
Купить MTD1N60E на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 204 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков TMOS POWER FET 1.0 AMPERE 600 VOLTS RDS(on) = 8.0 OHM | |||
| MTD1N60E ON Semiconductor | 14 ₽ | ||
| MTD1N60E ON Semiconductor | 204 ₽ | ||
| MTD1N60E ON Semiconductor | по запросу | ||
| MTD1N60E1 Motorola | по запросу | ||
Подробное описание
В этом высоковольтном МОП-транзисторе используется усовершенствованная схема согласования, обеспечивающая расширенные возможности блокировки напряжения без ухудшения производительности с течением времени.
Кроме того, этот усовершенствованный TMOS E-FET рассчитан на выдерживание высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Новая энергоэффективная конструкция также предлагает диод сток-исток с быстрым временем восстановления. Эти устройства, предназначенные для высоковольтных и высокоскоростных коммутационных приложений в источниках питания, преобразователях и средствах управления двигателями с ШИМ, особенно хорошо подходят для мостовых схем, где скорость диода и безопасная коммутационная зона имеют решающее значение и обеспечивают дополнительный запас безопасности против неожиданных переходных процессов напряжения.
Функции
- Прочное высоковольтное оконечное соединение
- Указанная лавинная энергия
- Время восстановления диода исток-сток сравнимо с временем восстановления дискретного диода быстрого восстановления.
- Диод предназначен для использования в мостовых схемах.
- IDSS и VDS(on) указаны при повышенной температуре
- Комплект для поверхностного монтажа доступен в виде ленты и катушки шириной 16 мм, 13 дюймов/2500 шт., добавьте суффикс T4 к номеру детали.
Классификация производителя
- Discretes & Drivers > MOSFETs
